為了確保滿足ASTM G151、ASTM G154、ASTM G155和ISO 4892對老化試驗噴淋用水和冷凝用水的要求,并避免在老化試驗箱內樣品表面形成水垢。用戶需要了解不同的實驗室加速老化試驗機對用水的要求,今天我們將介紹QUV紫外老化箱,Q-SUN氙燈老化箱和Q-FOG鹽霧箱對供水的要求。
首先,除了以下三個型號(QUV/Spray,QUV無噴淋型老化箱和Q-FOG CRH鹽霧箱),Q-LAB統一了不同型號的加速老化箱的用水要求。具體查看下表:
試驗箱型號 | 電阻率(Ω-cm) | 導電性(μS/cm) | 總溶解固體 (ppm) | 膠態二氧化硅(ppm) | PH |
QUV/basic,QUV/se 和QUV/cw | 常規水即可 | ||||
QUV/spray,Q-FOG CRH | > 5M | < 0.2 | < 0.1 | < 0.1 | 6-8 |
其他型號設備 | > 200k | < 5 | < 2.5 | not specified | 6-8 |
第二,在帶水噴淋的氙燈試驗箱中,除了去離子水之外,還需要一個反滲透系統,防止樣品上出現水漬。
在供水系統中,有些型號對用水要求會更嚴格,有些則相對寬松。詳細如下:
Q-SUN Xe-3-H氙燈老化箱過去要求水的電阻率大于500 kω-cm,研究表明這一條件高于必要值。
Q-FOG SSP鹽霧試箱,Q-FOG CCT鹽霧腐蝕試驗箱和Q-SUN Xe-2氙燈加速老化機過去要求水電阻率大于50kω。然而,研究表明,這不足以防止礦物結垢和積聚。此外,大多數鹽霧試驗標準要求純水電阻> 200kω-cm。此外,達到200kω的水純度不再困難或增加成本,使用反滲透或去離子裝置即可輕松實現。
現在,Q-LAB建議在Q-SUN氙燈老化試驗箱中使用RO/DI(反滲透/去離子)水進行噴淋。注意:Q-ALB為QUV/spray紫外線老化箱和Q-SUN氙燈老化箱配備了水再凈化系統,但該系統不能代替RO/DI系統。
水再凈化系統存在的問題
首先,原有的水凈化系統去除硅膠的效率隨著時間的累積會越來越低。這可能導致快速結垢,就像我們在實驗室中經??吹降哪菢?。相比之下,反滲透系統可以在相對長的時間內持續有效地運行,而不會將二氧化硅重新投放到水中。
第二,只有當用于處理低礦物質含量的水時,原有的水凈化系統才是高度經濟的,大多數有地表水源的城市,如克利夫蘭就是這種情況。然而,如果水源來自地下水,如在亞利桑那州和鳳凰城,這種地下水具有相對較高的礦物質含量,因此用反滲透處理更經濟。要點是單獨的反滲透不能滿足500 kω-cm以上的純度水平,并且需要將水去離子以滿足純度要求。
值得注意的是,并非所有出現在樣品表面的二氧化硅斑點都是由水中的雜質引起的。也可能是材料降解造成的。除了Q-SUN氙燈老化是化試驗箱,這些斑點也可能在自然老化過程中出現。如果在使用QUV紫外老化箱,Q-SUN氙燈老化箱和Q-FOG鹽霧箱的過程中遇到供水用水問題,可以找我們解決。